此种防护膜主要用于安装在 EUV 光路和晶圆制造空间之间，用于防尘。此前的防护膜透光率仅有 78%，然而一片的价格高达 26000 美元
据韩国媒体 BusinessKorea 报导，韩国产业通商资源部于 5 月 13 日对外宣布，全球光刻机龙头大厂阿斯麦（ASML）计划在韩国建设光……
根据企查查的资料显示，国内高端准分子激光技术厂商北京科益虹源光电技术有限公司（以下简称“科益虹源”）发生工商信息变更，新增……
我国中低端光刻胶基本实现国产化，但是 ArF 浸润式（28nm 及以下）以及 EUV 等关键节点所使用的光刻胶，日本和欧美企业还处于垄……
EUV 光刻用于晶圆厂的芯片生产，它使用一个巨大的扫描仪在高级节点上对芯片的微小特征进行图案化
在 2021 财年第三财季的财报分析师电话会议上，美光科技 CEO 兼总裁 Sanjay Mehrotra 透露，他们将引入极紫外光刻机
ArF 光刻胶材料是半导体制造的关键材料，可以用于 90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺，此前已经两次通过验证
光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一，高端产品的研发和生产主要由日系 JSR、信越化学、东京应化等少数公司所垄断。
关于英特尔 IDM2.0 和下一代 EUV 光刻机的更多细节
日本大厂住友化学拟在韩国兴建先进半导体材料厂房，生产应用于最先进制程的光刻胶
