宁波南大光电自主研发的 ArF（193nm）光刻胶产品近日成功通过客户的使用认证，用于 50nm闪存产品制造良率达标
慈湖高新区举办通信通讯产业重点项目集中签约仪式，10 个签约项目总投资额 84 亿元，其中超 10 亿元项目 4 个。
光刻胶不仅是半导体供应链中的重要一环，甚至成为了国家利益谈判的筹码
该项目总投资 1.03 亿元。项目一期建成后可达到年产 2000L 超高精细光刻胶的生产规模，二期项目建成后可实现年产 15000L
我国中低端光刻胶基本实现国产化，但是 ArF 浸润式（28nm 及以下）以及 EUV 等关键节点所使用的光刻胶，日本和欧美企业还处于垄……
ArF 光刻胶材料是半导体制造的关键材料，可以用于 90nm-14nm 甚至 7nm 技术节点的集成电路制造工艺，此前已经两次通过验证
光刻胶是国际上技术门槛最高的微电子化学品之一，高端产品的研发和生产主要由日系 JSR、信越化学、东京应化等少数公司所垄断。
日本大厂住友化学拟在韩国兴建先进半导体材料厂房，生产应用于最先进制程的光刻胶
公司拟以自有资金对全资子公司华懋 (东阳) 新材料有限责任公司 (简称“华懋东阳”) 进行增资，总注册资本变更为 15 亿元人民币
